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耗盡型MOS管/N溝道
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IGBT可靠性實驗室，元器件實驗室，失效分析實驗室
檢測項目 覆蓋產品 檢測能力 參考標準 功率循環試驗（PC） IGBT模塊 ΔTj=100℃ 電壓電流最大1800A 12V IEC 客戶自定義 高溫反偏試驗（HTRB） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導體器件等單管器件 溫度最高1
2022-07-01 16:39
[陜西省西安市雁塔區]
西安長禾半導體技術有限公司
[未核實]
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第三方實驗室，可靠性實驗室，元器件實驗室，失效分析實驗室
檢測項目 覆蓋產品 檢測能力 參考標準 功率循環試驗（PC） IGBT模塊 ΔTj=100℃ 電壓電流最大1800A 12V IEC 客戶自定義 高溫反偏試驗（HTRB） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導體器件等單管器件 溫度最高1
2022-07-01 16:39
[陜西省西安市雁塔區]
西安長禾半導體技術有限公司
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