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增強型MOS管/P溝道
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半導體功率模塊晶閘管動、靜態參數檢測中心
西安長禾半導體技術有限公司功率器件測試實驗室(簡稱長禾實驗室)位于西安市高新技術經濟開發區，是一家專業從事功率半導體器件測試服務的高新技術企業，是國家CNAS 認可實驗室，屬于國家大功率器件測試服務中心。 長
2022-07-01 16:36
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西安長禾半導體技術有限公司
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半導體功率模塊MOSFET動、靜態參數檢測中心
西安長禾半導體技術有限公司功率器件測試實驗室(簡稱長禾實驗室)位于西安市高新技術經濟開發區，是一家專業從事功率半導體器件測試服務的高新技術企業，是國家CNAS 認可實驗室，屬于國家大功率器件測試服務中心。 長
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半導體功率器件IGBT動、靜態參數檢測中心
西安長禾半導體技術有限公司功率器件測試實驗室(簡稱長禾實驗室)位于西安市高新技術經濟開發區，是一家專業從事功率半導體器件測試服務的高新技術企業，是國家CNAS 認可實驗室，屬于國家大功率器件測試服務中心。 長
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功率半導體器件的動、靜態參數檢測中心
西安長禾半導體技術有限公司功率器件測試實驗室(簡稱長禾實驗室)位于西安市高新技術經濟開發區，是一家專業從事功率半導體器件測試服務的高新技術企業，是國家CNAS 認可實驗室，屬于國家大功率器件測試服務中心。 長
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igbt靜態參數，動態參數測試服務（長禾實驗室）
IGBT模塊工作原理以及檢測方法 IGBT模塊簡介 IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙極型晶體管）的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融
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功率IGBT器件靜態測試，動態測試服務（長禾實驗室）
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半導體IGBT靜態測試，動態測試服務（長禾實驗室）
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高低功率IGBT模塊靜態測試，動態測試第三方報告
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低壓MOS場效應管 AO3401
單P溝道低壓MOS場效應管型號 類型 V(BR)DSS VGS ID25oC VGS(th)typ PD(W)25oC RDS(on)10V RDS(on)4.5V RDS(on)2.5V 封裝形式 替代型號 PDF SI2301 PChannel -20V -12V -3A -0.7V 1.25W - 64mΩ 89mΩ SOT-23 SI230
2021-08-30 11:11
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MBT3946DW1T雙通用SOT-363晶體管
MBT3946DW1T雙通用SOT-363晶體管產品型號:類型:雙晶體管集電極－發射集最小雪崩電壓Vceo(V):40集電極最大電流Ic(max)(mA):200直流電流增益hFE最小值(dB):100直流
2022-05-20 16:43
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4953 mos管sop8雙P溝道增強型MOSFET
4953 mos管PDF場效應管sop8資料雙P溝道增強型MOSFET雙P溝道MOSFET單P溝道MOSFET4953內部包括兩個獨立的、P溝道金屬氧化物場效應管。它有超低的導通電阻RDS（ON）
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4842mos管_4842mos管價格_4842mos管批發
4842現貨mos管sop-8全新場效應管雙N溝道高級功率MOSFET是一款常見的金氧半場效晶體管（MOSFET），廣泛應用于各種模擬電路與數字電路中。最大耗散功率為2000（mW
2022-05-20 16:43
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4842 mos管sop-8場效應管 30v 28a晶體管
4842 mos管sop-8場效應管 30v 28a晶體管采用DIP8腳封裝，典型輸出功率190-265V為12W-17W ，85-265V為10W-14W。該電路待機功耗低，啟動電流低。在待機模式下，電
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4803 MOSFET管雙P溝道高級功率MOS晶體管
4803MOSFET管雙P溝道高級功率MOS晶體管 采用先進的溝槽技術提供具有低柵極電荷的出色RDS（ON），具有低R DS（on）@V GS = -5V，5V邏輯電平控制，雙P溝道SOP8封裝
2022-05-20 16:43
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歡迎光臨2017上海國際玩具幼教展網站
2017年上海玩具展2017上海玩具展網站唯一發布2017第十六屆中國國際玩具及教育設備展覽會2017年最大的幼教展會|上海幼教展價格|上海幼教展網站|2017上海幼教展時
2017-05-20 09:51
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上海展ssd德薩展展覽會
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